Model 300四探針?lè)阶铚y(cè)試儀 Four Point Probe APPENDICES（附件：技術(shù)協(xié)議） 
4D 300 是用來(lái)自動(dòng)測(cè)量晶片或者導(dǎo)電薄膜的方阻，測(cè)試范圍從 0.001 到800000 Ohm/sq，并且可以擴(kuò)展到 8 e8 Ohm/sq 歐姆或者 8e11 Ohm/sq。測(cè)試樣片包括金屬薄膜，侵蝕，擴(kuò)散，離子注入和多晶硅薄膜等。該設(shè)備根據(jù)客戶(hù)的需求有多種測(cè)試方法，并且有厚度，溫度等修正選項(xiàng)功能，測(cè)試數(shù)據(jù)可以分析作圖。

Appendix 1: Configuration（配置） 
- 300 four-point probe system（300 設(shè)備） 1 臺(tái)
- Computer（臺(tái)式電腦：國(guó)內(nèi)提供） 1 臺(tái)
- Probe head(探頭) 2 個(gè)
- NIST traceable wafer(標(biāo)片) 1 片
Appendix 2: Technical Specification （技術(shù)參數(shù)）
Four Dimensions Model 300 Four Point Probe 
- Automatic measurement and wafer mapping. 
- 自動(dòng)測(cè)試與硅片多點(diǎn)測(cè)試值作圖功能
- Sheet resistance and resistivity measurement system for wafers, 
polysilicon, and conductive films such as metal, epi, diffusion, and ion 
implantation. 
- 薄層電阻與電阻率測(cè)量適用于單硅片，多晶片，和導(dǎo)電膜如金屬，外延，擴(kuò)散以
及離子注入。
- Measurement range: 1E-3 to 8E5 ohm/sq. 
- 測(cè)量范圍：1E-3 to 8E5 ohm/sq.
- 測(cè)量的**度：<0.1% （標(biāo)準(zhǔn)模阻）；
- 測(cè)量重復(fù)性：<0.2% （標(biāo)準(zhǔn)鍍金硅片或 ITO 標(biāo)準(zhǔn)片）；
- Square wafers (solar cell) suite for 166mm, 18xmm,210mm, up to 240mm;
- 方片尺寸兼容 166mm,18xmm,210mm,*大到 240mm;
- Computer with Windows OS. 
- Windows 操作系統(tǒng)；
- 300 operation software. 
- 300 操作軟件；
- Data analysis and storage. 
- 測(cè)試數(shù)據(jù)分析存儲(chǔ)功能；
- Data Transfer to ASCII or Excel;
- 測(cè)量數(shù)據(jù)可導(dǎo)出 ASCII 或者 Excell 格式；
- Color Contour Map, and 3D surfaceMap;
- 測(cè)試數(shù)據(jù)可以采用彩色等高線圖或 3D 圖顯示；
Appendix 3：Facility Requirements （安裝條件） 
1. Powell（電源）: 100/115/240VAC,Single phase,50/60Hz,200w；UPS（不間斷電
源）: 500W或以上；電源插頭：
2. Tabletop Footprint（操作臺(tái)面積尺寸）:92cm depth X 51cm width X 76cm height
Appendix 4：Services and Training （售后服務(wù)）