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LT-2型單晶少子壽命測試儀
LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據國際通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。
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單晶電阻率范圍 |
>2Ω.cm |
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單晶少子壽命范圍 |
5μS～7000μS |
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配備光源類型 |
波長：1.09μm；余輝<1 μS； |
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高頻振蕩源 |
用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz |
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前置放大器 |
放大倍數約25，頻寬2 Hz-1 MHz |
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儀器測量重復誤差 |
<±20％ |
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測量方式 |
采用對標準曲線讀數方式 |
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儀器消耗功率 |
<25W |
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儀器工作條件 |
溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz |
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可測單晶尺寸 |
斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm； |
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配用示波器 |
頻寬0—20MHz； |
